技術參數：

• Ic(A),Tc=80℃        600

• Vce(sat),Max(V)        2.45

• Ton(us)               0.33

• Toff(us)               1.0

• Rth(j-c),K/W        0.004

• Pc(W)               3120

• 封裝                  62mm

• 電路結構               一單元

性能概要：

• 低開關損耗

• 無可比擬的耐用性

• V（CESAT）具有正溫度系數

• 低V（CESAT）

• CTI>400

• 高爬電距離和電氣間隙

優點：

• 靈活性

• ***佳的電氣性能

• ***高的可靠性

目標應用：

• 電機控制和驅動

• 風能系統解決方案

高能效組件和子系統的系統的高可靠性

• 太陽能系統解決方案

對于完整的太陽能電力解決方案的主導產品

• 牽引