多德半導體繼電器-接觸器/金

	隨時可以使用的產品，容易安裝： 卡上的線。
	使用壽命長
	使用壽命長 靜音開關 感謝使用半導體，而不是機電接觸
	優良的電磁兼容性能 由于零電壓開關
	創新技術 DCB技術優化散熱

	低空間需求 由于設計緊湊，可分別可達3觸發固態接觸器在一個單一的住房
	客戶特定的解決方案和特殊用途的變種 例如精細調節負載電路監測或為筒式加熱器等加熱設備溫度控制器的點射控制模擬輸入
	適用于高開關頻率
	Low trigger目前的 只有5毫安
	粗糙的環境條件
	High I²t 因此，沒有額外的固態保險絲需要

• DCB代表直接銅接合。用這種方法，半導體元件直接應用到一個具體的陶瓷基板（鋁粉陶瓷或氮化鋁），這是鍍銅。

• 陶瓷具有優良的導熱性和電絕緣性，以半導體繼電器的底部。這將確保在半導體繼電器產生的熱量是*佳的散熱環境（散熱器，頂帽軌）。這是特定相關的溫度關鍵應用。它減輕了半導體的壓力，并給它一個更長的使用壽命。

 

• 散熱是一方面通過DCB技術，另一方面保證了熱沉。保持半導體低于120°C適當尺寸的散熱片是用的容許值的勢壘結溫。一種在繼電器底部和散熱器之間的傳熱復合物，另外優化了散熱。

• Dold半導體接觸器都配備了一個集成的溫度監測。它切斷了功率半導體器件，當達到某一溫度并激活信號輸出，可與閉鎖性能。我們的半導體繼電器也可以配備熱斷路器。它可以插入到半導體繼電器的底部的提供的口袋里，當一個定義的散熱器溫度達到時打開負載電路。我們的數據表，包括適當的表在那里你可以選擇一個適合的散熱器。

• 在金屬氧化物壓敏電阻形成一個內置過壓保護器。當一個連續的電壓峰值電阻變低幾乎沒有任何延遲和電荷是可靠地排出。這是保護電力設備免受損壞semidconductor高效和具有成本效益的方式。

• 可控硅主要是設備與反并聯晶閘管的兩。然而，相比一個雙向可控硅晶閘管需要兩離散導體的截面積，提高了散熱。晶閘管也顯示了更好的性能時，對斷態電壓臨界上升[ du/dt ]動態速率、電流上升率di/dt ] [我²T值²[我]。這就是為什么金晶閘管半導體繼電器適用于各種苛刻的應用。

• 所有標準Dold半導體繼電器和接觸器設計為零電壓開關。當控制電壓被施加時，半導體繼電器的開關在系統的正弦交流電壓的過零中。這*大限度地減少電磁干擾。這種方式也開始與PTC熱敏電阻的歐姆負載電流被限制的行為。

• To protect thyristor circuits against short-circuit currents they must be protected by a very quick acting fuse. The I²t value defines the allowed heat load caused by a short-circuit on the semiconductor element. Therefore the I²t value of the fuse must be lower than the I²t value of the semiconductor element to be able to protect the thyristor circuit efficiently. Thanks to a specific design of the power semiconductor devices some Semiconductor contacts do without a very quick acting fuse. A normal miniature circuit breaker is then enough.