網(wǎng)訊 1.國(guó)外相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)現(xiàn)狀

的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)有：

方法（1997）

委員會(huì)（CIE）1997年發(fā)表CIE127-1997 LED測(cè)試方法，把LED強(qiáng)度測(cè)試確定為平均強(qiáng)度的概念，并且規(guī)定了統(tǒng)一的測(cè)試結(jié)構(gòu)和探測(cè)器大小，這樣就為L(zhǎng)ED準(zhǔn)確測(cè)試比對(duì)奠定了基礎(chǔ)。雖然CIE127－1997測(cè)試方法并非國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，但它容易實(shí)施準(zhǔn)確測(cè)試比對(duì)，目前世界上主要企業(yè)都已采用。但是隨著技術(shù)的快速發(fā)展，許多新的LED技術(shù)特性CIE127-1997 LED測(cè)試方法沒有涉及。

，以推動(dòng)市場(chǎng)應(yīng)用。

　　2.國(guó)內(nèi)相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)現(xiàn)狀

　　從八十年代初起，我國(guó)相繼制定了一些與發(fā)光二極管相關(guān)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)。國(guó)內(nèi)現(xiàn)有與LED測(cè)試有關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)有：

　　(1)Sj2353.3-83半導(dǎo)體發(fā)光二極管測(cè)試方法

　　(2)Sj2658－86半導(dǎo)體紅外發(fā)光二極管測(cè)試方法

　　(3)GB/T12561—1990發(fā)光二極管空白詳細(xì)規(guī)范

　　(4)GB/T15651－1995半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路：光電子器件（國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)）

　　(5)GB/T18904.3—2002半導(dǎo)體器件12-3:光電子器件顯示用發(fā)光二極管空白詳細(xì)規(guī)范（采用IEC60747-12-3:1998）

　　(6)半導(dǎo)體分立器件和集成電路第5－2部分：光電子器件基本額定值和特性（國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)；制訂中）

　　(7)半導(dǎo)體分立器件和集成電路第5－3部分：光電子器件測(cè)試方法（國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)；制訂中）

　　(8)半導(dǎo)體發(fā)光二極管測(cè)試方法（中國(guó)光協(xié)光電器件分會(huì)標(biāo)準(zhǔn)；2002）