德國英飛凌科技（Infineon Technologies AG）開發(fā)出了適用于光伏發(fā)電用逆變器等的耐壓為1200V的SiC型FET（JFET）“CoolSiC產(chǎn)品群”，并在2012年5月8日～10日于德國舉行的電源技術(shù)展會(huì)“PCIM Europe 2012”上宣布投產(chǎn)。盡管該公司此前向市場投放過使用SiC材料的肖特基勢壘二極管，但此次是首次實(shí)現(xiàn)SiC制結(jié)型FET的產(chǎn)品化。SiC型FET將與專用驅(qū)動(dòng)IC組合銷售，2012年第二季度開始樣品供貨。

　　新產(chǎn)品的主要用途為光伏發(fā)電的逆變器裝置。如果采用SiC型FET代替現(xiàn)有逆變器裝置中使用的IGBT，便可實(shí)現(xiàn)裝置的小型輕量化。這是因?yàn)樾庐a(chǎn)品可實(shí)現(xiàn)高于IGBT的工作速度。也就是說，即便提高工作頻率，也能降低開關(guān)損失。因此，電感器及電容器等被動(dòng)元件可使用小型產(chǎn)品，所以能夠?qū)崿F(xiàn)整個(gè)裝置的小型輕量化。

　　CoolSiC產(chǎn)品群備有導(dǎo)通電阻及封裝方式不同的6款產(chǎn)品。分別為導(dǎo)通電阻為35mΩ、封裝采用TO-247的“IJW120R035T1”，導(dǎo)通電阻為50mΩ、封裝采用TO-247的“IJW120R050T1”，導(dǎo)通電阻為70mΩ、封裝采用TO-247的“IJW120R070T1”、導(dǎo)通電阻為100mΩ、封裝采用TO-247的“IJW120R100T1”，導(dǎo)通電阻為70mΩ的裸芯片“IJC120R070T1”，以及導(dǎo)通電阻為100mΩ的裸芯片“IJC120R100T1”。價(jià)格方面，以IJW120R100T1為例，批量購買1000個(gè)時(shí)美國市場的參考單價(jià)預(yù)定為24.90美元。