網訊 外延片的生產制作過程是非常復雜，展完外延片，接下來就在每張外延片隨意抽取九點做測試，符合要求的就是良品，其它為不良品(電壓偏差很大，波長偏短或偏長等)。良品的外延片就要開始做電極(P極，N極)，接下來就用激光切割外延片，然后百分百分撿，根據不同的電壓，波長，亮度進行全自動化分檢，也就是形成led晶片(方片)。然后還要進行目測，把有一點缺陷或者電極有磨損的，分撿出來，這些就是后面的散晶。此時在藍膜上有不符合正常出貨要求的晶片，也就自然成了邊片或毛片等。不良品的外延片(主要是有一些參數不符合要求)，就不用來做方片，就直接做電極(P極，N極)，也不做分檢了，也就是目前市場上的LED大圓片(這里面也有好東西，如方片等)。

：襯底材料

產業技術發展的基石。不同的襯底材料，需要不同的外延生長技術、芯片加工技術和器件封裝技術，襯底材料決定了半導體照明技術的發展路線。襯底材料的選擇主要取決于以下九個方面：

　　1，結構特性好，外延材料與襯底的晶體結構相同或相近、晶格常數失配度小、結晶性能好、缺陷密度小；

　　2，界面特性好，有利于外延材料成核且黏附性強；

　　3，化學穩定性好，在外延生長的溫度和氣氛中不容易分解和腐蝕；

　　4，熱學性能好，包括導熱性好和熱失配度小；

　　5，導電性好，能制成上下結構；

　　6，光學性能好，制作的器件所發出的光被襯底吸收小；

　　7，機械性能好，器件容易加工，包括減薄、拋光和切割等；

　　8，價格低廉；

　　9，大尺寸，一般要求直徑不小于2英吋。

　　襯底的選擇要同時滿足以上九個方面是非常困難的。所以，目前只能通過外延生長技術的變更和器件加工工藝的調整來適應不同襯底上的半導體發光器件的研發和生產。用于氮化鎵研究的襯底材料比較多，但是能用于生產的襯底目前只有三種，即藍寶石Al2O3和碳化硅SiC襯底以及Si襯底。