直到20世紀90年代，太陽能光光伏工藝還是主要建立在單晶硅的基礎上。雖然單晶硅太陽能電池的成本在不斷下降，但是與常規電力相比還是缺乏競爭力，因此，不斷降低成本是光伏界追求的目標。自20世紀80年代鑄造多晶硅發明和應用以來，增長迅速，80年代末期它僅占太陽能電池材料的10%左右，而至1996年底它已占整個太陽能電池材料的36%，它以相對低成本、高效率的優勢不斷擠占單晶硅的市場，成為最有競爭力的太陽能電池次材料。21世紀初已占50%以上，成為最主要的太陽能電池材料。

　　1.裝料

　　將裝有涂層的石英坩堝在熱交換臺上，加入硅原料，然后安裝加熱設備、隔熱設備和爐罩，將爐內抽真空使爐內壓力降至0.05-0.1mbar并保持真空。通入氬氣作為保護氣，使爐內壓力基本維持在400-600mbar左右。

　　2.加熱

　　利用石墨加熱器給爐體加熱，首先使石墨部件、隔熱層、硅原料等表面吸附的濕氣蒸發，然后緩慢加溫，使石英坩堝的溫度達到1200-1300℃左右，該過程需要4-5h。

　　3.化料

　　通入氬氣作為保護氣，使爐內壓力基本維持在400-600mbar左右。逐漸增加加熱功率，使適應坩堝內的溫度達到1500℃左右，硅原料開始熔化。熔化過程中一直保證1500℃左右，直至化料結束。該過程約要20-22h。

　　4.晶體生長

　　硅原料熔化結束后，降低加熱功率，使適應坩堝的溫度降至1420-1440℃硅熔點左右。然后石英坩堝逐漸向下移動，或者隔熱裝置逐漸上升，使得石英坩堝慢慢脫離加熱區，與周圍形成熱交換；同時，冷卻板通水，使熔體的溫度自底部開始降低，晶體硅首先在底部形成，生長過程中固液界面始終保持與水平面平行，直至晶體生長完成，該過程約要20-22h。

　　5.退火

　　晶體生長完成后，由于晶體底部和上部存在較大的溫度梯度，因此，晶錠中可能存在熱應力，在硅片加熱和電池制備過程中容易再次硅片碎裂。所以，晶體生長完成后，硅錠保持在熔點附近2-4h，使硅錠溫度均勻，減少熱應力。

　　6.冷卻

　　硅錠在爐內退火后，關閉加熱功率，提升隔熱裝置或者完全下降硅錠，爐內通入大流量氬氣，使硅錠溫度逐漸降低至室溫附近；同時，爐內氣壓逐漸上升，直至達到大氣壓，該過程約要10h。