清洗制絨作為太陽電池生產中的第一個工序，該工序主要用于硅片在擴散前的硅片腐蝕處理。目的是為了在硅片上獲得表面絨面結構，這種絨面結構對提高晶體硅對光的吸收率有著重要的作用。對于單晶硅來說，采用堿溶液的各向異性腐蝕，即可以在其(100)面得到理想的絨面結構；而多晶硅由于存在多種不同晶向，采用上面的方法無法獲得均勻的絨面，也不能有效降低多晶硅的反射率。目前，多晶硅絨面技術主要有機械刻槽、激光刻槽、等離子刻蝕(RIE)和各向同性酸腐蝕。機械刻槽的工藝方法要求硅片厚度在200μm以上，因為刻槽的深度一般在50μm的量級上，所以對硅片的厚度要求很高，而這樣的技術會增加成本。等離子刻蝕制備出硅片表面陷光效果是非常好的，但它需要相對復雜的處理工序和昂貴的加工系統。在硅片表面織構的制作過程中，可能會引入機械應力和損傷，在后處理中形成缺陷。而各向同性酸腐蝕技術可以比較容易地整合到當前的太陽電池處理工序中，它的制作成本基本上是最低的，在大規模工業化生產中，各向同性酸腐蝕是目前廣泛應用的多晶硅太陽電池絨面技術。本章主要討論清洗制絨（堿性制絨和酸性制絨）的基本原理及其清洗制絨設備的主要結構、工藝流程、維護和發展方向。

　　1晶體硅表面減反射及其制絨原理

　　3.1．1晶體硅表面減反射原理

　　在太陽電池中，其能量的損失有兩種類型：光學損失和電學損失，其中光學損失主要體現以下3種方式：

　　1.硅表面的反射損失，經處理的拋光硅片反射率可達30%以上；

　　2.上電極的遮光損失，作為上電極的金屬柵線要遮掉5%～15%的入射光；

　　3.進入硅片能量大于禁帶寬度的光子在電池背面的投射。

　　3種光學性質的損失中，硅表面的反射損失最多。通過在太陽電池表面制備絨面可以有效降低太陽電池的表面反射率，入射光在電池表面多次反射延長了光程，增加了對紅外光子的吸收，而且有較多的光子在P－N結附近產生光生載流子，從而增加了光生載流子的收集幾率；另外，同樣尺寸的基片，絨面電池的P－N結面積較大，可以提高短路電流，轉換效率也有相應的提高。因此，在減少光的損失方面，電池的織構化技術和減反射技術起著重要的作用。