晶圓代工廠中芯(SMIC)3日宣布，與手機晶片大廠高通攜手，將以28奈米多晶矽(PolySiON)、以及28奈米高介電常數金屬閘極(HKMG)制程，為高通量產驍龍(Snapdragon)處理器。

中芯說明，將與高通子公司──美國高通技術公司(QualcommTechnologies,Inc.)在28奈米制程和晶圓制造服務方面緊密合作，在中國制造高通驍龍處理器。中芯強調，高通是全球最大的無晶圓廠半導體供應商之一，同時也是全球3G、4G及新一代無線技術的領先者，其驍龍處理器是專為行動裝置而設計。中芯看好，該合作將會提升中芯于28奈米制程的成熟度及產能。

中芯早先已接獲高通電源管理、無線及連接IC等產品訂單，此次則是在28奈米制程進一步攜手。中芯透露，未來還會將其技術延伸到3DIC以及射頻前端(RFfront-end)的晶圓制造，以支援高通持續擴展的驍龍產品系列。

中芯首席執行官兼執行董事邱慈云博士表示，很高興能夠與美國高通技術公司達成此項合作，這對中芯28奈米制程的完善以及競爭力的提升，具有重要的里程碑意義，相信得到美國高通技術公司的支援，28奈米將會成為中芯最重要的成長動能。中芯也預期，28奈米制程的生命周期長度將會超越先前的技術節點。

美國高通技術公司執行副總裁兼QCT聯席總裁MurthyRenduchintala則表示，中芯是美國高通技術公司的重要供應商之一，其實力和技術正不斷提升，以滿足高通更高的產品需求。高通很高興能與中芯合作，并期待在中國開始其28奈米的產品制造，并執行高通的區域供應鏈戰略。他強調，中芯正于高通全球運營中扮演日益重要的地位。