臺積電最近助海思半導(dǎo)體（HiSilicon）成功產(chǎn)出全球首顆以16納米鰭式場效晶體管（FinFET）的ARM架構(gòu)網(wǎng)絡(luò)芯片，設(shè)備廠透露，這項(xiàng)成就宣告臺積電16納米在面臨三星及英特爾進(jìn)逼下，已取得壓倒性勝利。

　　此外，臺積電也正式向英特爾宣戰(zhàn)，目標(biāo)是二年內(nèi)在10納米晶體管技術(shù)追平英特爾，屆時(shí)在芯片閘密度及金屬層連結(jié)等二要項(xiàng)都超越英特爾，將讓臺積電稱冠全球，并奠定全球晶圓代工不可撼動的地位。

　　臺積電的這項(xiàng)成就，是昨天出席臺積電高雄氣爆感恩與祝福餐會的半導(dǎo)體設(shè)備廠所透露，針對臺積電宣布全球首顆16納米產(chǎn)品完成產(chǎn)品設(shè)計(jì)（tape-out）后，點(diǎn)出臺積電在16納米FinFET的重要成果。

　　不愿具名的設(shè)備商指出，臺積電為海思成功產(chǎn)出的全球首顆以16納米生產(chǎn)、功能完備的網(wǎng)通處理器，等于宣告海思具備可以提供自家集團(tuán)華為的核心處理器。該晶片是以ARMv8架構(gòu)為基礎(chǔ)的32核心ARM Cortex-A57網(wǎng)絡(luò)芯片，運(yùn)算速度可達(dá)2.6GHz。

　　華為目前是向英特爾采購以22納米制程的網(wǎng)絡(luò)芯片，臺積電與海思的合作，也代表中國大陸已具備自主生產(chǎn)高階網(wǎng)絡(luò)芯片的地位，對英特爾帶來一定程度的威脅。

　　同時(shí)根據(jù)設(shè)備業(yè)者消息，臺積電16奈米FinFET Plus制程也進(jìn)入試投片（try run）先前作業(yè)階段，可望提前至第4季試產(chǎn)，主要客戶除了繪圖晶片廠英偉達(dá)（NVIDIA）、FPGA廠商賽靈思（Xilinx）、手機(jī)芯片廠商高通外，眾所矚目的蘋果新款應(yīng)用處理器也將試投片清單中。