三菱電機日前在PCIM2013亞洲展上會見了記者，三菱電機的高層與記者交流了市場的發(fā)展計劃。

新（左至右）三菱電機機電（上海）有限公司半導體事業(yè)部市場營銷部部長錢宇峰先生、三菱電機董事及技術總監(jiān)GourabMajumdar博士及三菱電機機電（上海）有限公司副總經(jīng)理谷口豐聰先生

政府令經(jīng)濟復蘇

三菱電機機電（上海）有限公司半導體事業(yè)部市場營銷部部長錢宇峰先生表示，在2008年由于全球金融危機的影響，中國也很難獨善其身，因此三菱電機在中國的功率模塊業(yè)務首次出現(xiàn)了負增長。然而隨著2009年政府4萬億元的投入，大量的基礎建設項目得以開工，其中就包括軌道交通，同時又推出了一系列的家電下鄉(xiāng)和節(jié)能補貼政策，使得三菱電機功率模塊憑借在軌道交通和變頻家電領域的優(yōu)勢，在2011年，銷售額達到了頂峰。

可是在2012年，國際經(jīng)濟大環(huán)境整體疲軟，加上中國政府的調控措施以及2011年7.23溫州鐵路事故的影響，三菱電機在優(yōu)勢產品上遇到了瓶頸，繼而功率模塊的整體業(yè)績大幅下滑，甚至出現(xiàn)了2012年的業(yè)績比2010年還要低的情況。

在新一屆政府上臺后，整個市場逐漸恢復。在中國經(jīng)濟每年保持7.5%增長的前提下，三菱電機保守估計功率模塊市場從今年起至2015年，每年將有超過10%的增長。

就全球市場來看，據(jù)IMS研究公司的調查數(shù)據(jù)顯示，2011年全球功率模塊的銷售額比2010年增加了35%，達到了40億美元，同時三菱電機也由于2011年的良好表現(xiàn)繼續(xù)領跑市場，其份額也超過了30%。

三菱電機董事及技術總監(jiān)GourabMajumdar博士

增長動力之一來自軌道牽引

錢先生表示，軌道牽引市場是今年市場復蘇的動力來源之一。在國家“十二五”的規(guī)劃中，2012年國家將對鐵路投入6,500億元，80%用于基礎建設，15%是機車車輛的購置，余下的5%用于維護和產品升級。

從2013至2015年，政府每年仍會保持6,000至7,000億元的投入，基于其中15%-20%用于車輛購置和維護，三菱電機的功率模塊將有所作為。同時，隨著基礎建設投資的擴大，也帶動了相關工業(yè)產品的需求，包括工業(yè)用變頻器、伺服、數(shù)控機床等等，這也將為三菱電機功率模塊業(yè)績的增長提供機會。

另一個動力是來自變頻空調及其它變頻家電，隨著2012冷凍年度庫存的逐步消耗，2013冷凍年度的需求在今年年初已經(jīng)開始恢復，這也帶動了市場對三菱電機功率DIPIPMTM產品需求的增加。

另外，在新能源領域，特別是光伏市場，由于歐美對中國太陽能電池板雙反條令的實施，令以前以出口為主的市場，逐漸轉回國內。在2011年，整個太陽能市場新裝機容量僅僅是2GW，而去年就達到了5GW，樂觀估計2013年可能達到9GW；同時風電市場在經(jīng)歷了行業(yè)LVRT（低電壓穿越）功能的完善后，預計在2013年也將出現(xiàn)增長，新裝機容量將達到17GW左右。相信三菱電機功率模塊在新能源領域也將有所斬獲。

同時，由于中國市場需求的不斷擴大，三菱電機早在幾年前已經(jīng)在中國開始建立工廠并制造功率模塊，如變頻家電用的DIPIPMTM產品以及部分IGBT產品。并且三菱電機也將繼續(xù)擴大“中國制造”概念，不僅在中國生產制造，進而將在中國進行原材料的采購和優(yōu)化，提升在整個業(yè)界的競爭力。

三菱電機PCIM展位上觀眾絡繹不絕

不斷改良功率模塊技術

三菱電機董事及技術總監(jiān)GourabMajumdar博士稱，三菱電機主要從三個方面不斷提升和改良功率模塊的性能，包括：芯片技術、封裝技術和新材料。

在芯片技術方面，三菱電機目前使用的是第6代IGBT芯片技術，仍然沿用的是硅材料。不斷改進晶圓，提高電流密度，暨擴大芯片的有效區(qū)間從而發(fā)揮其最大效用，并在第七代產品上實現(xiàn)。

在封裝技術方面，目前主要采用的是盒式封裝，通過改良，新一代的MPD系列產品，其電壓可以達到1200V和1700V，電流達到了1800A和2500A，真正地成為了一個兆瓦級的功率模塊。

另外，三菱電機也在不斷地改良其獨有的壓注模封裝技術。目前最大規(guī)格已經(jīng)提升至600V/75A和1200V/50A。另外所有新開發(fā)產品都內置了自舉二極管，從而簡化客戶的設計。

三菱電機工程師為媒體、觀眾細心講解

碳化硅為未來發(fā)展方向

在材料技術方面則采用碳化硅（SiC）。它有四大優(yōu)點：集成化更高、功耗更低、高頻下的性能更佳以及更加耐熱。以三菱電機的SiC-MOSFET來說，面積只有9×9mm，開通電阻為4mΩ/cm2。耐壓達到1300V。

除了全碳化硅器件，目前也在開發(fā)混合碳化硅器件。其中IGBT仍然使用硅材料而續(xù)流二極管采用了碳化硅材料。

三菱電機機電（上海）有限公司副總經(jīng)理谷口豐聰先生稱：將來混合碳化