日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所(以下簡稱“產(chǎn)綜研”)開發(fā)出了一種新材料，通過組合單層碳納米管(CNT)和銅(Cu)，實(shí)現(xiàn)了與銅同等的電導(dǎo)率，以及約達(dá)到銅100倍的載流量(也叫最大電流密度)。該研究所表示，這種CNT-Cu復(fù)合材料不僅可以通過大電流，而且重量輕、耐高溫，因此可以作為超小型高性能半導(dǎo)體芯片的布線材料使用。

目前為止，半導(dǎo)體芯片的總體布線及芯片間布線材料一般使用銅、鋁(Al)、金(Au)等金屬。不過，這些金屬的電導(dǎo)率雖然較高，但載流量不一定很大。施加一定數(shù)值以上的高電壓時(shí)，這種電壓會導(dǎo)致原子結(jié)構(gòu)崩潰，就會造成電阻急劇增大，最終導(dǎo)致導(dǎo)線斷裂。

在電導(dǎo)率和載流量方面，新材料兼具CNT的高載流量和Cu的高電導(dǎo)率(a)。此前人們并未找到同時(shí)具備高載流量和高電導(dǎo)率材料，而CNT-Cu復(fù)合材料同時(shí)實(shí)現(xiàn)了兩種特性(b)。

從用途方面來看，隨著微細(xì)化技術(shù)的進(jìn)步，半導(dǎo)體芯片等的布線要求的載流量也逐漸增大。產(chǎn)綜研表示，到2015年，所需載流量將達(dá)到Cu和Au無法實(shí)現(xiàn)的 100萬(106)A/cm2。 而CNT及石墨烯等“納米碳材料”則擁有高達(dá)10億(109)A/cm2左右的載流量。這是因?yàn)樘荚�子之間具有很強(qiáng)的耦合能力，就算施加很高的電壓，也很難導(dǎo)致原子結(jié)構(gòu)崩潰。但是，這種材料的電導(dǎo)率卻不到Cu和Au的1/100。此前，研究人員一直都沒有找到載流量與CNT相當(dāng)且電導(dǎo)率與Cu同等的材料。

CNT可抑制Cu的擴(kuò)散

CNT-Cu復(fù)合材料由CNT和Cu組合而成，首次同時(shí)實(shí)現(xiàn)了上述兩種特性。其載流量為6.3×108A/cm2，高達(dá)Cu的約100倍。

產(chǎn)綜研表示，新材料之所以能夠獲得如此高的載流量，是因?yàn)镃NT可抑制Cu的擴(kuò)散。在這種CNT-Cu復(fù)合材料中，CNT和Cu形成了像“鐵筋混泥土”一樣的結(jié)構(gòu)，CNT起到了增強(qiáng)在高電壓下Cu的“強(qiáng)度”的作用。

在常溫下，這種復(fù)合材料的電導(dǎo)率與Cu相當(dāng)。但即便在200℃左右的高溫下，新材料的電導(dǎo)率也不會明顯降低，這一點(diǎn)比Cu還要出色。

CNT-Cu復(fù)合材料與Cu在不同溫度下的電導(dǎo)率變化。CNT-Cu復(fù)合材料與Cu相比，溫度造成的電導(dǎo)率變化較小。

據(jù)產(chǎn)綜研介紹，新材料的制作工藝基本上是在含有Cu離子的溶液中對CNT進(jìn)行電鍍處理。關(guān)鍵點(diǎn)是在有機(jī)類溶液中以1m～5mA/cm2的電流密度緩慢對CNT進(jìn)行電鍍處理，而不是在水溶液中快速進(jìn)行鍍銅處理。這樣便可在CNT構(gòu)造體內(nèi)部填充Cu。

CNT-Cu復(fù)合材料的制造工藝概要。將產(chǎn)綜研與日本瑞翁等開發(fā)的垂直配向單層CNT改為水平配向后，先后在有機(jī)類溶液和水溶液中進(jìn)行鍍銅處理制作而成。

目前存在1000倍以上的價(jià)格差距

這種復(fù)合材料存在的最大問題是單層CNT的成本還很高。目前單層CNT的成本為1000日元～1萬日元/g(因純度不同而異)，與4300日元/g左右的Au差不多。而Cu的成本卻只有約0.76日元/g，單層CNT與之存在極大的價(jià)格差距。

產(chǎn)綜研此次在制造單層CNT時(shí)，采用了該研究所與日本瑞翁等公司聯(lián)合開發(fā)的“超速成長法(Super Growth)”，這是一種可制造高純度單層CNT的工藝。瑞翁計(jì)劃從2015年開始采用超速成長法正式量產(chǎn)單層CNT。將來有可能將制造成本降至10日元/g左右。

產(chǎn)綜研表示，今后將與制造廠商聯(lián)合開發(fā)新材料的具體用途，推進(jìn)實(shí)用化。