今年是我國啟動“半導體照明工程”十周年。近日，中科院半導體照明研發中心主任李晉閩向《中國科學報》記者介紹說，我國在基于GaN基LED的白光照明技術方面已取得突飛猛進的發展。在350毫安的工作電流下，白光LED的發光效率從2004年的20流明/瓦提高到2013年的150流明/瓦。

據了解，半導體照明的能源消耗只有普通白熾燈的1/10，但其壽命可達10萬小時以上。據估算，如果半導體照明能占領我國1/3的照明市場，每年可節電2000億度，相當于兩個多三峽電站的發電量。

2003年，在時任半導體所所長李晉閩的建議下，科技部經過深入調研和組織，正式啟動“國家半導體照明工程”。2004年，數十家企業和科研單位聯合開展半導體照明關鍵技術攻關。2006年，經過兩年的籌備后，中科院半導體照明研發中心正式成立。

李晉閩介紹說，中心在深紫外LED研究方面結出了累累碩果。2008年，中心成功制備國內首支發光波長在300納米以下的深紫外LED器件，實現了器件的毫瓦級功率輸出。“十二五”以來，在“863”項目支持下，由中科院半導體所牽頭、國內優勢單位參與，目前已成功將深紫外LED的輸出功率提高到接近4毫瓦（20毫安電流下）。

同時，研發中心在LED產業的核心——MOCVD裝備核心技術開發方面進展順利，初步研制出48片生產型MOCVD設備，為實現產業化開創了良好局面；研發出HVPE生長系統，并在推廣型立式HVPE系統上開發出HVPEGaN自支撐襯底的生長技術。

在推動高科技成果轉化方面，中科院半導體照明研發中心也成就斐然。在與中心進行技術合作的兩大企業中，中材集團入股的揚州中科半導體照明有限公司和另一家湖南企業的生產規模均進入國內前五強，銷售額達到十幾個億。

“下一步，我們將加大研發力度，加快推動LED產業核心生產設備的國產化，爭取搶占半導體照明產品技術、標準的制高點。”李晉閩表示。