碳化矽功率 MOSFET技術可顯著改善太陽能逆變器的重量、成本和效率。

　　科銳公司與臺達能源系統公司(Delta Energy Systems)共同宣布成功達成太陽能逆變器(PV inverter)業內一項計劃，臺達的新一代的太陽能轉換器將科銳的碳化矽(SiC)功率 MOSFET納入設計。碳化矽功率 MOSFET的加入，使下一代的太陽能逆變器在功率密度、效率和重量上達到重要的新里程碑。

　　臺達能源系統公司的太陽能逆變器研究與發展主管 Klaus Gremmelspacher評論表示：“通過利用碳化矽功率 MOSFET，臺達下一代的太陽能逆變器在功率密度上達到新的里程碑。對我們在實現輕型且具備業界領先效率的新型高功率轉換器的目標來說，科銳公司所提供的碳化矽功率 MOSFET是不可或缺的。”

　　科銳于2011年發表了首款碳化矽功率 MOSFET， 具有降低損耗和提高太陽能逆變器效率及功率密度的功效;而性能更顯著提升的第二代矽功率 MOSFET將于2013年推出。在這項具里程碑意義的產品面市后，世界上最大且最受尊敬的電源管理解決方案供應商之一的臺達能源系統公司(臺達電子集團的子公司)，決定將科銳的碳化矽功率 MOSFET納入下一代太陽能逆變器的設計中。在11kW太陽能逆變器中采納科銳的1200V碳化矽功率 MOSFET后，臺達已能擴大直流輸入電壓范圍，同時維持或甚至提升前一代產品的最高效率。臺達預計在2013年第二季度推出的11kW加速器(booster)，因為采用科銳的碳化矽功率 MOSFET，其直流輸入電壓從900V提升到1000V。

　　科銳電源的資深行銷主管Scott Allen博士表示：“我們很高興且榮幸像臺達能源系統這樣的公司成為我們碳化矽功率 MOSFET產品的客戶。他們正使用中的1200V、160m-MOSFET能很快臻于完善，因為那是2011年發表的產品，而且又具備領先業界的性能和成本優勢。 像臺達電子等從事先端技術的客戶，如今也積極采用我們的碳化矽功率 MOSFET技術，不僅能使太陽能逆變器在尺寸、重量和成本等方面比采用矽減少20%~50%，同時能保持或提升效率水準。”